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Descripción

Bienvenidos
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Somos Tienda Física



DOS MODELOS DISPONIBLES:

KVR1333D3S9/4G DDR3 DE 4GB 1333MHz
Características:

ValueRAM de 512 M x 64 bits (4 GB)
DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM síncrona), memoria 2Rx8
módulo, basado en dieciséis 256M x 8 bits DDR3-1333 FBGA
componentes El SPD está programado según el estándar JEDEC
latencia DDR3-1333 temporización de 9-9-9. Este SODIMM de 204 pines

Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

VDDQ 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

fCK de 667MHz para 1333Mb/seg/pin

Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6

Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj

Latencia de escritura CAS programable (CWL) 7 (DDR3-1333)

Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con
dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD 4 que no
permite leer o escribir sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]

Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales

Calibración interna (auto): Calibración automática interna a través de ZQ
pin (RZQ: 240 ohmios ± 1)

En la terminación de la matriz usando el pin ODT

Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85 ° C,
3.9us a 85°C < TCASE < 95°C

Restablecimiento asíncrono

PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara

Especificaciones tecnicas:
CL(IDD) 9 ciclos

Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 49,5 ns (min.)

Actualizar a Activo/Actualizar 160ns (min.)

Tiempo de comando (tRFCmin)

Tiempo activo de fila (tRASmin) 36ns (min.)

Potencia (en funcionamiento) 1.410 W*

Clasificación UL 94 V - 0

Temperatura de funcionamiento 0 °C a 85 °C

Temperatura de almacenamiento -55°C a +100°C

KVR16LS11/4 DDR3 DE 4GB 1600MHz
Características:

ValueRAM de 512 M x 64 bits (4 GB)
DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, bajo
voltaje, módulo de memoria, basado en ocho FBGA de 512M x 8 bits
componentes El SPD está programado según el estándar JEDEC
latencia DDR3-1600 temporización de 11-11-11 a 1,35 V o 1,5 V. Esta
SODIMM de 204 pines

Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,35 V y 1,5 V

VDDQ 1,35 V y 1,5 V

fCK de 800MHz para 1600Mb/seg/pin

Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5

Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj

Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con inicio
dirección “000” solamente), 4 con tCCD 4 que no permite
leer o escribir [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]

Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales

Calibración interna (auto): Calibración automática interna a través del pin ZQ
(RZQ: 240 ohmios ± 1)

En la terminación de la matriz usando el pin ODT

Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85°C, 3.9us a
85°C < TCASE < 95°C

Restablecimiento asíncrono

PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara

Sin plomo Cumple con RoHS

Especificaciones tecnicas:

CL(IDD) 11 ciclos

Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48.125ns (min.)

Actualizar a Activo/Actualizar 260ns (min.)

Tiempo activo de fila (tRASmin) 35 ns (min.)

Clasificación UL 94 V - 0

Temperatura de funcionamiento 0 °C a 85 °C
Temperatura de almacenamiento -55 °C a +100 °C

La mejor actualización para tu computador es aumentar la memoria RAM. Puedes repotenciar tu máquina con una mínima inversión

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