Ixtp24n65x2m Tr Mosfet 650v 24a

Descripción

Manufacturer: IXYS
Product Category: MOSFET
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 145 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Qg - Gate Charge: 36 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 390 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: HiPerFET
Fall Time: 19 ns
Rise Time: 25 ns
50
Type: X2-Class
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns

OT13

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