D2012 2sd2012 Transistor

Descripción

El Toshiba D2012 es un transistor de potencia NPN de uso general en encapsulado TO-220AB. Es un transistor versátil y robusto que se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo:

Amplificadores de audio: El D2012 tiene una alta ganancia de corriente (hFE) y un bajo voltaje de saturación (VCEsat), lo que lo hace ideal para amplificadores de audio de baja frecuencia.
Fuentes de alimentación: El D2012 puede manejar corrientes elevadas y voltajes altos, lo que lo convierte en una buena opción para fuentes de alimentación conmutadas y reguladores de voltaje.
Circuitos de control: El D2012 se puede utilizar en una variedad de circuitos de control, como interruptores de transistor, controladores de motor y temporizadores.
Características principales del transistor Toshiba D2012:

Tipo: Transistor NPN de potencia
Encapsulado: TO-220AB
Tensión máxima colector-emisor (VCEO): 1200V
Tensión máxima colector-base (VCBO): 1200V
Tensión máxima emisor-base (VEBO): 5V
Corriente máxima de colector (IC): 15A
Ganancia de corriente (hFE): 20-100
Frecuencia de transición (fT): 4MHz
Ventajas del transistor Toshiba D2012:

Alta ganancia de corriente
Bajo voltaje de saturación
Alta capacidad de corriente
Alta tensión de ruptura
Encapsulado robusto

En general, el transistor Toshiba D2012 es una excelente opción para una amplia gama de aplicaciones de baja frecuencia. Es un transistor versátil, robusto y fiable que ofrece un buen rendimiento a un precio competitivo.

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